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针对Micro LED关键技术难题 利亚德探索出属于自己的技术路径

  在Micro LED前沿技术领域的诸多成就,为行业探索Micro LED领域提供有利的借鉴。

  Micro LED应用前景广阔,从商业应用到消费电子,都是Micro LED可大展身手的领域。但目前处于发展初期,在巨量转移、芯片效率、全彩技术等一系列问题上,业界尚未有成熟的解决方案,规模化量产与应用仍需时间。因此,当务之急是进一步突破MicroLED核心技术问题。

  Micro LED包含了4大核心技术,分别是MicroLED芯片技术、巨量转移技术、检测及返修、光学和表面处理。利亚德认为,激光巨量转移是现阶段最优解方案,其具有较好的兼容性,可同时应用于转移带与不带衬底的LED,且在带衬底LED芯片的转移中能够避免LED的偏移和侧翻问题。

  检测及返修:检测技术上,由于MicroLED芯片和电极过于微小,业界研发了非接触式检测技术,可通过PL检测测试LED光学性能,但电学性能暂时无法测试,因此业界也有观点认为,若能保证LED外延的均匀性和波长的一致性且无颗粒,则无需点测及分bin。

  光学和表面处理:针对提高对比度/黑度,降低反射率,目前解决方案有:缩小LED芯片尺寸、底部填充基板线路进行遮蔽、增加基板墨色、表面覆盖抗反射膜等。针对墨色一致性问题,也可启用墨色筛选,虽可一定程度上解决问题,但却会对终端产品售价造成负面影响,而针对亮屏颜色的一致性问题,主要通过LED分bin和混bin管理进行控制,并通过后端校正来解决;针对像素尺寸与像素间距的适配问题,则是通过增加像素填充率来解决。

  面对MicroLED关键技术难题,LED业界给出了多种技术路径,尝试从中找到最佳的解决方案。利亚德凭借自身在LED显示行业的丰富经验,也探索出属于自己的MicroLED发展之道。

  在巨量转移技术上,利亚德基于对大尺寸的Micro LED显示技术的理解,发展了两种巨量转移技术,分别是mass transfer1和masstransfer2,mass transfer1主要应对带衬底LED和PCB基板的巨量转移,masstrasnfer2则是针对无衬底、玻璃基板或其他高精度基板的巨量转移应用。

  在表面处理和光学方面,利亚德发展了A、B、C MODE三种表面处理技术,A MODE属于高性价比方案;BMODE是双层封装结构,墨色一致性、均匀度、对比度具有较好的表现;C MODE均匀度表现最佳,适合COB和COG封装产品的应用。

  未来,利亚德将继续攻克Micro LED技术难题,追求间距缩小、极致画质、高可靠性及稳定性等都将是利亚德研究的主要课题。随着MicroLED技术不断成熟,在利亚德等创新科技企业的助力下,Micro LED也将在显示行业释放更多潜能,为显示行业带来新的发展机遇。