CIE云讲堂 宽禁带半导体光电材料与器件专题本周四19:00开播_华体会体育ios_app最新下载_hth官网登录

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CIE云讲堂 宽禁带半导体光电材料与器件专题本周四19:00开播

  ”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、电子材料分会和《电子学报/CJE》编辑部联合承办。

  本次活动将在学会视频号与B站等平台同步直播,点击下方预约即可到时观看;届时进入学会视频号官方主页也可观看直播。

  氧化镓是一种超宽禁带(~4.8eV)半导体材料,其高击穿场强(~8MV/cm)、高Baliga品质因数(~3444)、低成本熔融法单晶生长技术等突出优点使其在功率器件(SBD、MOSFET)领域具有重要的应用;同时,氧化镓的超宽禁带在无需掺杂的情况下即直接对应日盲紫外波段的吸收,在日盲深紫外探测、X射线探测等短波长探测领域也具有重要的应用。另外,氧化镓材料还具有具有耐高温、耐高压、抗辐照的特性。目前国际上对超宽禁带氧化镓材料和器件领域的研究兴趣倍增,在各发达国家半导体技术前瞻布局中具有重要的战略地位。报告将介绍在氧化镓半导体MOCVD外延生长、功率电子器件、日盲深紫外探测器、X射线探测器的研究进展,分析氧化镓半导体的发展趋势。

  中国科学技术大学教授,博导,微电子学院执行院长。从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。国家杰出青年科学基金项目获得者,全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻工作组委员。在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.等国际学术期刊上发表论文100余篇,SCI他引5500余次,H因子43,6篇论文入选ESI高引论文(累计引用居前1%的论文)。申请专利100余项,其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际,74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部、中科院、广东省等资助科研项目20余项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。

  第三代半导体氮化镓(GaN)具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高等特点,特别适合制备高压、高频、高温功率电子器件,在消费类电子快充、激光雷达、大数据中心等电源管理系统有着广泛而重要的应用前景。在大尺寸、低成本硅衬底上外延生长制备GaN基高效功率电子器件有望大幅降低制造成本,是目前国内外学术界与产业界的主流技术路线之一。本报告将首先介绍在硅衬底上外延生长高质量GaN材料的关键科学问题与技术解决方案,然后重点讨论硅基GaN纵向功率二极管与增强型HEMT横向功率电子器件的研究进展与发展趋势。

  中科院苏州纳米所研究员、博导、所党委委员。国家优秀青年基金获得者,国家重点人才工程(首批青年人才),国家技术发明一等奖获得者(排名第4)。中国电子学会电子材料分会青年副主任委员、中国电子学会优秀科技工作者、中国物理学会发光分会委员、中科院元器件专家组成员、xxx重大优先方向专家组成员。长期致力于第三代半导体氮化镓(GaN)材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、中科院先导B类专项课题、中科院前沿科学重点研究项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今已在Nature Photonics、Light: Science & Applications、以及IEEE Electron. Dev. Lett.等国际学术期刊上发表了110余篇SCI收录论文,专利40余项。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。

  紫外光电子器件在诸如杀菌消毒、火灾预警、高密度信息存储等方面的广泛应用需求,其研究受到越来越多关注。AlGaN作为第三代半导体材料,具有热稳定性好、化学稳定性好、抗辐射等优异性能,其禁带宽度在3.4eV至6.2eV之间连续可调,相应的带边发射或吸收波长为365nm至200nm,恰好处于紫外波段,且AlGaN为直接带隙半导体材料,这些特性使得AlGaN材料成为制备紫外光电子器件的理想材料。

  当前,限制AlGaN基LED、日盲紫外探测器等器件性能提升的关键科学问题在于缺陷控制问题、p型掺杂问题以及器件载流子输运调控问题,针对于此,开展了AlN模板缺陷演变机制研究,发现界面应力是位错演变的驱动力,为高质量AlN模板的制备提供了理论依据,提出了量子工程非平衡掺杂方法,有效降低了高Al组分AlGaN材料的受主激活能,获得了高空穴浓度的p-AlGaN材料,基于此获得了高性能深紫外LED。

  针对各类型高增益氮化物半导体紫外探测器存在的问题,创新结构设计,实现了基于p-i-n结构外延层的双极晶体倍增管紫外探测器,极化增强单极载流子渡越倍增的日盲紫外探测器,自驱动的多量子阱结构诱导的单极载流子渡越倍增垂直结构日盲紫外探测器,其零偏电压的峰值光谱响应度达到0.425A/W@233nm,是目前报道的波长最短、零偏增益最高的氮化物半导体紫外探测器。

  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特别研究助理,第六届中国科协青年人才托举项目入选者,首届中国科学院特别研究助理项目获得者,获中国科学院院长特别奖、2021年中国半导体十大研究进展、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所2021年度优秀成果奖(排名第三)、第四届全国宽禁带半导体学术会议优秀青年论坛邀请报告等奖项。主要研究方向为宽禁带氮化物半导体材料的外延生长、缺陷调控与抑制、光电特性调控,以及基于氮化物宽禁带半导体材料的深紫外LED器件及其应用、日盲紫外探测器件等,相关研究成果发表在Light: Science & Applications, Photonics Research, Applied Physics Letters, CrystEngComm等国际知名期刊,授权或申请多项中国发明专利。主持国家自然科学基金青年基金项目、国家重点研发计划项目子课题、中科院特别研究助理项目等。

  研究员,中科院长春光机所所务委员,中国电子学会青年工作委员会副主任委员。国家自然科学基金“创新研究群体”项目获得者(2022年),国家“杰青”获得者(2017年),科技部重点研发计划变革性技术项目首席,中科院特聘研究员,科技部中青年创新领军人才,入选第四批“万人计划”科技创新领军人才,享受国务院政府特殊津贴。主要从事基于氮化物理论、材料生长及光电器件及物理研究。立足于缺陷调控工程,实现了低缺陷密度、高质量的AlN材料,实现了基于表面等离激元增强的GaN、AlGaN紫外及深紫外探测器,研制出高性能AlGaN日盲紫外探测器及深紫外LEDs。作为课题负责人承担国家重点研发计划、国家自然科学基金杰出青年基金、国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目等项目。在Light:Science & Applications,Advances in Optics and Photonics等国际期刊上等发表SCI论文100余篇,申请发明专利80余项。担任第三代半导体产业技术战略联盟青委会副主任委员、电子学会青年工作委员会副主任委员、《Scientific Reports》、《发光学报》、《Quantum Engineering 》等期刊编委,中国金属学会宽禁带委员会委员,OSA高级会员。荣获吉林省自然科学一等奖(第一完成人)。

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  中国电子学会(Chinese Institute of Electronics)成立于1962年,现拥有个人会员10万余人,团体会员600多个,专业分会47个,专家委员会16个,工作委员会9个,编委会1个。中国电子学会总部是工业和信息化部直属事业单位,在职人员近200人。中国电子学会(含分支机构)是中国科协的重要组成部分,工作人员近5000人。26个省、自治区、直辖市设有地方学会组织。中国电子学会是5A级全国学术类社会团体。